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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.208835
10
¥11.517767
100
¥10.865818
500
¥10.250773
1000
¥9.670541
ON Semiconductor NV25M01DWUTG
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- 对比
NV25M01DWUTG
1807-NV25M01DWUTG
存储器
--
大陆
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EEPROM Serial 1-Mb SPI - Automotive Grade 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM SOIC-8, 3000-REEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NV25M01DWUTG详情
ON Semiconductor NV25M01DWUTG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
Package
Bulk
Base Product Number
NV25M01
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
SOIC-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
751BD
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
105 °C
Manufacturer Part Number
NV25M01DWUTG
Clock Frequency-Max (fCLK)
5 MHz
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.75
Usage Level
Automotive grade
系列
*
JESD-609代码
e4
无铅代码
有
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G8
Brand Name
安森美半导体
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.8 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128KX8
座位高度-最大
1.75 mm
内存宽度
8
记忆密度
1048576 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
SPI
写入周期时间 - 最大值
5 ms
宽度
3.9 mm
长度
4.9 mm
NV25M01DWUTG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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