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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.13708
10
¥2.959514
100
¥2.791988
500
¥2.633957
1000
¥2.484862
ON Semiconductor NVATS4A101PZT4G
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- 对比
NVATS4A101PZT4G
1807-NVATS4A101PZT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVATS4A101PZT4G详情
ON Semiconductor NVATS4A101PZT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
15 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
27A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
36W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
875pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NVATS4A101PZT4G拓展信息
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