ON Semiconductor NVATS5A113PLZT4G

工厂交货时间

5 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Ta

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29.5m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

38A

漏极-源极导通最大电阻

0.0295Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

114A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

95 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant