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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | HTS代码 | 终端形式 | 参考标准 | JESD-30代码 | 元素配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NVB25P06T4G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 2 Weeks | 表面贴装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | YES | 3 | SILICON | 43 ns | 27.5A Ta | 10V | 1 | 120W Tj | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | yes | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago) | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin (Sn) | 8541.29.00.95 | 鸥翼 | AEC-Q101 | R-PSSO-G2 | Single | 增强型MOSFET | DRAIN | 14 ns | P-Channel | SWITCHING | 82m Ω @ 25A, 10V | 1680pF @ 25V | 50nC @ 10V | 72ns | 60V | ±15V | N-CHANNEL | 190 ns | 27.5A | 15V | 0.082Ohm | 80A | 60V | 600 mJ | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 |
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