NVB5404NT4G
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ON Semiconductor NVB5404NT4G

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型号

NVB5404NT4G

utmel 编号

1807-NVB5404NT4G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

D2PAK

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

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NVB5404NT4G
NVB5404NT4G ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

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NVB5404NT4G详情

ON Semiconductor NVB5404NT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    25 Weeks

  • 包装/外壳

    D2PAK

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    85 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    5.4W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    5.4W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    65ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    85 ns

  • 连续放电电流(ID)

    24A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0045Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    670A

  • 输入电容

    7nF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大rds

    4.5 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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