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'nvd5890nl'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

技术

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

场效应管特性

高度

长度

宽度

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NVD5890NLT4G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

3

SILICON

24A Ta 123A Tc

1

38 ns

4W Ta 107W Tc

4.5V 10V

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2012

e3

yes

LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

鸥翼

未说明

未说明

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

4W

DRAIN

12 ns

N-Channel

SWITCHING

3.7m Ω @ 50A, 10V

4760pF @ 25V

42nC @ 4.5V

40V

±20V

123A

20V

0.0055Ohm

400A

40V

2.38mm

6.73mm

6.22mm

not_compliant

ROHS3 Compliant

无铅

NVD5890NLT4G-VF01

NVD5890NLT4G-VF01

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DPAK

4W (Ta), 107W (Tc)

4.5V, 10V

onsemi

24A (Ta), 123A (Tc)

Tape & Reel (TR)

Obsolete

2.5V @ 250µA

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tape & Reel (TR)

--

不用于新设计

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

3.7 mOhm @ 50A, 10V

4760pF @ 25V

42nC @ 4.5V

40V

±20V

--