ON Semiconductor NVD5C478NT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 43A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 30W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 30μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

840pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

43A

漏极-源极导通最大电阻

0.0084Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

210A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准