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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.690333
10
¥10.08522
100
¥9.514359
500
¥8.975807
1000
¥8.467749
ON Semiconductor NVD6416ANLT4G-VF01
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- 对比
NVD6416ANLT4G-VF01
1807-NVD6416ANLT4G-VF01
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
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¥
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NVD6416ANLT4G-VF01详情
ON Semiconductor NVD6416ANLT4G-VF01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
19 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
71W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
74m Ω @ 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NVD6416ANLT4G-VF01拓展信息
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