ON Semiconductor NVGS3136PT1G
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NVGS3136PT1G
1807-NVGS3136PT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Single P-Channel Power MOSFET -20V, -5.8A, 33mΩ Power MOSFET -20V -5.8A 33 mOhm Single P-Channel TSOP-6, 3000-REEL
--最小包装量--
NVGS3136PT1G详情
ON Semiconductor NVGS3136PT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
318G-02
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
NVGS3136PT1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.7
Drain Current-Max (ID)
3.7 A
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G6
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.033 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.6 W
NVGS3136PT1G拓展信息
ON Semiconductor
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