ON Semiconductor NVJS3151PT1G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 3.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

850pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

RoHS状态

ROHS3 Compliant