显示的结果

'nvmfd5853n'

5结果

所有品牌

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料	Drain Source Voltage (Vdss)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)				操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最大功率耗散	终端形式	Reach合规守则	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	无卤素	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	下降时间（典型值）	Continuous Drain Current (Id)	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	场效应管技术	场效应管特性	高度	长度	宽度	辐射硬化
NVMFD5853NT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)	表面贴装	表面贴装	8-PowerTDFN	8		21 ns			-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2013	e3	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)				Tin (Sn)	3.1W		not_compliant	8				增强型MOSFET			9 ns	2 N-Channel (Dual)	10m Ω @ 15A, 10V	4V @ 250μA		1225pF @ 25V	24nC @ 10V	20ns	40V	3 ns		12A	20V	53A						METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门					ROHS3 Compliant	无铅
NVMFD5853NLT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)	表面贴装	8-PowerTDFN	YES	8	SILICON		22 ns	2		-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2013	e3	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	6	EAR99		Tin (Sn)	3W	FLAT		8	AEC-Q101	R-PDSO-F6	Dual	增强型MOSFET		DRAIN	10 ns	2 N-Channel (Dual)	10m Ω @ 15A, 10V	2.4V @ 250μA	无卤素	1100pF @ 25V	23nC @ 10V		40V			12A	20V	34A	0.015Ohm	40V	165A		40 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	1.05mm	6.1mm	5.1mm	无	ROHS3 Compliant	无铅
NVMFD5853NWFT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	表面贴装	表面贴装	8-PowerTDFN	8			2	21 ns		-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2013	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)				Tin (Sn)	3.1W		not_compliant	8				增强型MOSFET	3.1W		9 ns	2 N-Channel (Dual)	10m Ω @ 15A, 10V	4V @ 250μA		1225pF @ 25V	24nC @ 10V	20ns	40V	3 ns		12A	20V	53A						METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门					ROHS3 Compliant	无铅
NVMFD5853NLT1G-MS	MSKSEMI	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1							40V	2.5V	true	Tape & Reel (TR)											1 N-Channel																						50A
NVMFD5853NLWFT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)	表面贴装	8-PowerTDFN	YES	8	SILICON	2			-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2014	e3	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	6	EAR99		Tin (Sn)	3W	FLAT		8	AEC-Q101	R-PDSO-F6	Dual	增强型MOSFET		DRAIN		2 N-Channel (Dual)	10m Ω @ 15A, 10V	2.4V @ 250μA	无卤素	1100pF @ 25V	23nC @ 10V		40V			12A	20V	34A	0.015Ohm		165A	40V	40 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门				无	ROHS3 Compliant	无铅