ON Semiconductor NVMFS5C673NLWFAFT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

46W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.2m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 35μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

880pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

14A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

290A

雪崩能量等级（Eas）

88 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant