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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | JESD-30代码 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NVMFS6B05NLT1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 38 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | SILICON | 3.8W Ta 165W Tc | 4.5V 10V | 1 | 3V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | Automotive, AEC-Q101 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | Tin (Sn) | DUAL | FLAT | R-PDSO-F5 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | 5.6m Ω @ 20A, 10V | 3980pF @ 25V | 6.8nC @ 10V | 100V | ±16V | 114A | 0.0082Ohm | 330A | 100V | 125 mJ | not_compliant | Non-RoHS Compliant | 无铅 |
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