ON Semiconductor NVMFS6B05NLT3G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

38 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 165W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3980pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

114A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

330A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅