ON Semiconductor NVR5124PLT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

470mW Ta

Turn Off Delay Time

12.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

-470mW

接通延迟时间

6.6 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

240pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

-1.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.365Ohm

漏源击穿电压

-60V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.11mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅