ON Semiconductor NVTFS5C466NLTAG
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NVTFS5C466NLTAG
1807-NVTFS5C466NLTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 7.3mO 1500 / Tape & Reel
--最小包装量--
NVTFS5C466NLTAG详情
ON Semiconductor NVTFS5C466NLTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
51A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
38W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.3m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
880pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
14A
漏极-源极导通最大电阻
0.012Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
214A
DS 击穿电压-最小值
40V
雪崩能量等级(Eas)
72 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NVTFS5C466NLTAG拓展信息
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