ON Semiconductor NVTFS5C478NLWFTAG

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

20W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 20μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

104A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

43 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant