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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.319876
10
¥7.848939
100
¥7.40466
500
¥6.985527
1000
¥6.590121
ON Semiconductor NVTFS5C673NLTAG
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NVTFS5C673NLTAG
1807-NVTFS5C673NLTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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MOSFET N-CH 60V 13A 50A 8WDFN
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¥
总价: ¥
NVTFS5C673NLTAG详情
ON Semiconductor NVTFS5C673NLTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Ta 50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.1W Ta 46W Tc
Turn Off Delay Time
16 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
46W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.8m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
880pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
290A
雪崩能量等级(Eas)
88 mJ
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
800μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NVTFS5C673NLTAG拓展信息
ON Semiconductor
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