ON Semiconductor NVTFS6H850NTAG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta 68A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.2W Ta 107W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.5m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 70μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1140pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11A

漏极-源极导通最大电阻

0.0095Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

80V

雪崩能量等级（Eas）

271 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant