ON Semiconductor NVTYS020N08HLTWG

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NVTYS020N08HLTWG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-X5

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

8 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

端子位置

DUAL

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-X5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0211 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

119 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

138 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

46 W

反馈上限-最大值 (Crss)

4.2 pF