ON Semiconductor NXH80T120L2Q0S1G
- 收藏
- 对比
NXH80T120L2Q0S1G
1807-NXH80T120L2Q0S1G
无类别的
--
大陆
立即发货

T-Type NPC Power Module 1200V 55A 20-Pin Q0PACK Blister Tray
1最小包装量--
NXH80T120L2Q0S1G详情
ON Semiconductor NXH80T120L2Q0S1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
28 Weeks, 6 Days
表面安装
NO
终端数量
18
晶体管元件材料
SILICON
Schedule B
8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
55 ns
Operating Temperature-Min
-40 °C
Turn-off Time-Nom (toff)
320 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
NXH80T120L2Q0S1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.69
附加功能
RC-IGBT
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-XUFM-X18
配置
COMPLEX
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
125 W
集电极电流-最大值(IC)
57 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.85 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.4 V
达到SVHC
compliant
NXH80T120L2Q0S1G拓展信息







哦! 它是空的。