ON Semiconductor P1H06300D8
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P1H06300D8
1807-P1H06300D8
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8
1最小包装量--
P1H06300D8详情
ON Semiconductor P1H06300D8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
DFN8*8
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
55.5W
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
PN Junction Semiconductor
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.3V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
+10V, -20V
场效应管特性
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P1H06300D8拓展信息
ON Semiconductor
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