RFP40N10
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ON Semiconductor RFP40N10

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型号

RFP40N10

utmel 编号

1807-RFP40N10

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

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RFP40N10 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

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RFP40N10详情

ON Semiconductor RFP40N10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220-3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    40A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    160W Tc

  • Turn Off Delay Time

    42 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    100V

  • 额定电流

    40A

  • 电压

    100V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    40A

  • 功率耗散

    160W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    40mOhm @ 40A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    300nC @ 20V

  • 上升时间

    30ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    20 ns

  • 连续放电电流(ID)

    40A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 漏源电阻

    40mOhm

  • 最大rds

    40 mΩ

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

RFP40N10拓展信息

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