ON SEMICONDUCTOR RHRD660S
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RHRD660S
1807-RHRD660S
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RHRD660S详情
ON SEMICONDUCTOR RHRD660S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
Operating Temperature (Min.)
-65°C
Power Dissipation (Max)
50W
应用
超快速软恢复
附加功能
FREE WHEELING DIODE, PD-CASE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
输出电流-最大值
6A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
600V
JEDEC-95代码
TO-252
最大非代表Pk前进电流
60A
正向电压-最大值
2.1V
反向电流-最大值
100μA
反向恢复时间-最大值
0.035μs
反向测试电压
600V
RHRD660S拓展信息







哦! 它是空的。