ON Semiconductor RP109N281D-TR-FE

RoHS

Non-Compliant

容差

1 %

终止次数

2

温度系数

100 ppm/°C

电阻

158 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

厚膜

额定功率

63 mW

最大功率耗散

63 mW

特征

Automotive AEC-Q200

宽度

508 µm

高度

406.4 µm

长度

990.6 µm

无铅

含铅