SSP45N20B_FP001
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ON Semiconductor SSP45N20B_FP001

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型号

SSP45N20B_FP001

utmel 编号

1807-SSP45N20B_FP001

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 35A TO-220

起订量

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SSP45N20B_FP001
SSP45N20B_FP001 ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 35A TO-220

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SSP45N20B_FP001详情

ON Semiconductor SSP45N20B_FP001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 供应商器件包装

    TO-220-3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    35A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    176W Tc

  • Turn Off Delay Time

    360 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2001

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    176W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    65mOhm @ 17.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4300pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    173nC @ 10V

  • 上升时间

    340ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    200V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    270 ns

  • 连续放电电流(ID)

    35A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    200V

  • 输入电容

    4.3nF

  • 漏源电阻

    65mOhm

  • 最大rds

    65 mΩ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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