ON Semiconductor SSR1N60BTM
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SSR1N60BTM
1807-SSR1N60BTM
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
1最小包装量--
SSR1N60BTM详情
ON Semiconductor SSR1N60BTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
900mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 28W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12 Ω @ 450mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
215pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.7nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
符合RoHS标准
SSR1N60BTM拓展信息
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