SSR1N60BTM
SSR1N60BTM

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥3.168319

  • 10

    ¥2.988984

  • 100

    ¥2.819794

  • 500

    ¥2.66018

  • 1000

    ¥2.509607

ON Semiconductor SSR1N60BTM

  • 收藏
  • 对比

型号

SSR1N60BTM

utmel 编号

1807-SSR1N60BTM

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
SSR1N60BTM
SSR1N60BTM ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

单价: $

合计:

库存:6000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SSR1N60BTM详情

ON Semiconductor SSR1N60BTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    900mA Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W Ta 28W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    12 Ω @ 450mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    215pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7.7nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

SSR1N60BTM拓展信息

BSS138LT1G
BSS138LT1G

ON Semiconductor

BSS138L
BSS138L

ON Semiconductor

NVR5198NLT1G
NVR5198NLT1G

ON Semiconductor

NDS0605
NDS0605

ON Semiconductor

BSS123LT1G
BSS123LT1G

ON Semiconductor

FDB33N25TM
FDB33N25TM

ON Semiconductor

BSS84LT1G
BSS84LT1G

ON Semiconductor

FDS4465
FDS4465

ON Semiconductor

FDS6681Z
FDS6681Z

ON Semiconductor

NDS355AN
NDS355AN

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z