ON Semiconductor STDV3055L104T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

23 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta 48W Tj

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

104m Ω @ 6A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12A

漏极-源极导通最大电阻

0.14Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

61 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant