ON Semiconductor SVD5865NLT4G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Min.)

-55°C

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

203A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

13mOhm

RoHS状态

符合RoHS标准