ON Semiconductor UMC3NT2G
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UMC3NT2G
1807-UMC3NT2G
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Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1最小包装量--
UMC3NT2G详情
ON Semiconductor UMC3NT2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 419A
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UMC3NT2G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.84
Part Package Code
SC-88A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PDSO-G5
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
极性/通道类型
NPN和PNP
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
35
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.25 V
UMC3NT2G拓展信息







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