ON Semiconductor VN0300L

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

350mW Tc

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2004

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

60V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

100pF @ 15V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

200mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

DS 击穿电压-最小值

30V

反馈上限-最大值 (Crss)

25 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅