ON Semiconductor VN0610LLRLRA

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

VN0610LLRLRA

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Risk Rank

5.11

Drain Current-Max (ID)

0.19 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-92

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.19 A

漏极-源极导通最大电阻

5 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF