ON Semiconductor VN2410LG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

包装

Bulk

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

240V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

125pF @ 25V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

240V

栅源电压

2 V

反馈上限-最大值 (Crss)

20 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅