Panasonic MTM86128

安装类型

表面贴装

包装/外壳

576-BBGA, FCBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

576-FCBGA (25x25)

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Memory Types

Volatile

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MTM86128

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

松下电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

PANASONIC CORP

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

1 A

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

--

包装

Tray

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

技术

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

电压 - 供电

1.7 V ~ 1.9 V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

基本部件号

IDT70P3337

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

内存大小

9Mb (512K x 18)

操作模式

DEPLETION MODE

时钟频率

233MHz

访问时间

7.2ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

晶体管应用

SWITCHING

写入周期时间 - 字符、页面

--

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

0.56 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.54 W