Panjit 2N7002KDW-AU_R1_000A1

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-363-6

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-363

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N7002KDW-AU_R1_000A1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

PAN JIT INTERNATIONAL INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Risk Rank

5.55

Drain Current-Max (ID)

0.115 A

Number of Elements

2

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Typical Turn-On Delay Time

2.7 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Qualification

AEC-Q101

Pd - Power Dissipation

350 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.000265 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Brand

Panjit

Qg - Gate Charge

800 pC

Rds On - Drain-Source Resistance

4 Ohms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

15 ns

Id - Continuous Drain Current

250 mA

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

250mA (Ta)

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

附加功能

超低电阻

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

2 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

350mW (Ta)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

35pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.8nC @ 5V

上升时间

19 ns

漏源电压 (Vdss)

60V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

2 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

产品类别

MOSFET