BC849CW_R1_00001
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Panjit BC849CW_R1_00001

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型号

BC849CW_R1_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-BC849CW_R1_00001

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA

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BC849CW_R1_00001 Panjit Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA

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BC849CW_R1_00001详情

Panjit BC849CW_R1_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 供应商器件包装

    SOT-323

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Unit Weight

    0.000176 oz

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Manufacturer

    Panjit

  • Brand

    Panjit

  • RoHS

    Details

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • 厂商

    Panjit International Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    5 V

  • Pd - Power Dissipation

    250 mW

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • DC Collector/Base Gain hfe Min

    420

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    900 mV

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Maximum DC Collector Current

    100 mA

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    30 V

  • Package Description

    ,

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BC849CW_R1_00001

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    PAN JIT INTERNATIONAL INC

  • Risk Rank

    5.05

  • 系列

    GPT-02TAN

  • 包装

    MouseReel

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 配置

    Single

  • 功率 - 最大

    250 mW

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    420 @ 2mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    600mV @ 5mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    30 V

  • 频率转换

    100MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    420

  • 集电极-发射器电压-最大值

    30 V

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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