Panjit BC857B-AU_R1_000A1

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-23-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Tim

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC857B-AU_R1_000A1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

PAN JIT INTERNATIONAL INC

Risk Rank

5.54

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Qualification

AEC-Q101

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

330 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

220

Collector-Emitter Saturation Voltage

650 mV

Unit Weight

0.000296 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

200 MHz

Brand

Panjit

Maximum DC Collector Current

200 mA

DC Current Gain hFE Max

475

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

包装

MouseReel

操作温度

-50°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率 - 最大

330 mW

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

连续集电极电流

- 100 mA

集电极-发射器电压-最大值

45 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT