Panjit BCP56-16-AU_R2_000A1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-223

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package/Enclosure

SOT-416

Power dissipation Pd

150mW

Collector-emitter maximum voltage VCEO

50V

Collector continuous current

100mA

Collector-emitter saturation voltage

300mV

DC current gain hFE

33

Characteristic frequency fT

250MHz

R1

2.2K Ohms

R2

10K Ohms

Qualification

AEC-Q101

Unit Weight

0.004339 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

RoHS

Details

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BCP56-16-AU_R2_000A1

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

PAN JIT INTERNATIONAL INC

Risk Rank

5.14

Operating temperature

-55℃~150℃

包装

MouseReel

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2.6 W

fet type

NPN

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

100MHz

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

100 V