GLZJ30DT/R7详情
Panjit GLZJ30DT/R7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
165-FBGA (15x17)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1418
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
29.77 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GLZJ30DT/R7
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
PAN JIT INTERNATIONAL INC
Risk Rank
5.71
Part Package Code
MELF
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
SRAM - Synchronous, DDR II
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
内存大小
36Mbit
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
时钟频率
300 MHz
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
-
最大电压允差
2.5%
工作测试电流
5 mA
动态阻抗-最大值
55 Ω
组织的记忆
2M x 18
GLZJ30DT/R7拓展信息








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