Panjit P6SMB170CA_R2_00001

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

Product Status

Obsolete

Reverse Stand-off Voltage

145 V

RoHS

Compliant

Breakdown Voltage / V

162 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

30 kV

Unit Weight

0.003245 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Ipp - Peak Pulse Current

2.6 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

Vesd - Voltage ESD Air Gap

30 kV

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

包装

Reel

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

MOSFET (Metal Oxide)

终端样式

SMD/SMT

工作电压

145 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

234 V

峰值脉冲电流

2.6 A

场效应管类型

N-Channel

峰值脉冲功率

600 W

Rds On(Max)@Id,Vgs

280mOhm @ 4.5A, 10V

方向

双向

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

测试电流

1 mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

910 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

TVS 二极管

场效应管特性

-

最小击穿电压

162 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes