PJD16N06A_L2_00001
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Panjit PJD16N06A_L2_00001

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型号

PJD16N06A_L2_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-PJD16N06A_L2_00001

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252AA-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PJD16N06A_L2_00001 Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PJD16N06A_L2_00001详情

Panjit PJD16N06A_L2_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    THT

  • 包装/外壳

    TO-252AA-3

  • 供应商器件包装

    TO-252

  • MSL

    n/a

  • RoHS

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    60 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    3.9 ns

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    2.5 V

  • Pd - Power Dissipation

    27 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 20 V, + 20 V

  • Unit Weight

    0.010476 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Manufacturer

    Panjit

  • Brand

    Panjit

  • Qg - Gate Charge

    14 nC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    60 mOhms

  • Typical Turn-Off Delay Time

    23 ns

  • Id - Continuous Drain Current

    4.4 A

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4.4A (Ta), 16A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • 厂商

    Panjit International Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    2W (Ta), 27W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.5V @ 250µA

  • 操作温度

    0...+70°C

  • 系列

    LTC

  • 包装

    MouseReel

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 频率

    250kHz

  • 输出电压

    5V

  • 输出类型

    固定式

  • 配置

    Single

  • 注意

    -

  • 通道数量

    1 Channel

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    50mOhm @ 8A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    815 pF @ 15 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    14 nC @ 10 V

  • 上升时间

    13 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 晶体管类型

    1 N-Channel

  • 场效应管特性

    -

  • 输入电压

    48V

  • 产品类别

    MOSFET

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PJD16N06A_L2_00001拓展信息

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