PJD8NA50_L2_00001
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Panjit PJD8NA50_L2_00001

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型号

PJD8NA50_L2_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-PJD8NA50_L2_00001

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

500V N-CHANNEL MOSFET

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PJD8NA50_L2_00001 Panjit 500V N-CHANNEL MOSFET

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PJD8NA50_L2_00001详情

Panjit PJD8NA50_L2_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    TO-252

  • Qualification

    AEC-Q200

  • Case Code - in

    2512

  • Case Code - mm

    6432

  • Unit Weight

    0.001429 oz

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1800

  • Mounting Styles

    PCB 安装

  • Manufacturer

    TT Electronics

  • Brand

    Welwyn Components / TT Electronics

  • RoHS

    Details

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Panjit International Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    130W (Tc)

  • Product Status

    不用于新设计

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    500 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    14 ns

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    4 V

  • Pd - Power Dissipation

    130 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Qg - Gate Charge

    16.2 nC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    900 mOhms

  • Typical Turn-Off Delay Time

    36 ns

  • Id - Continuous Drain Current

    8 A

  • 系列

    HVC

  • 包装

    Reel

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 容差

    1 %

  • 温度系数

    100 PPM / C

  • 电阻

    63.4 kOhms

  • 应用

    汽车级

  • 子类别

    Resistors

  • 技术

    厚膜

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    900mOhm @ 4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    826 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16.2 nC @ 10 V

  • 上升时间

    30 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    500 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 产品类别

    厚膜电阻器

  • 晶体管类型

    1 N-Channel

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    -

  • 产品类别

    Thick Film Resistors - SMD

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PJD8NA50_L2_00001拓展信息

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