PJP3NA50_T0_00001
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Panjit PJP3NA50_T0_00001

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型号

PJP3NA50_T0_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-PJP3NA50_T0_00001

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

500V N-CHANNEL MOSFET

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PJP3NA50_T0_00001 Panjit 500V N-CHANNEL MOSFET

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PJP3NA50_T0_00001详情

Panjit PJP3NA50_T0_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 供应商器件包装

    TO-220AB

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    CTS-Frequency Controls

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    44W (Tc)

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    4V @ 250µA

  • 操作温度

    -30°C ~ 85°C

  • 系列

    520

  • 尺寸/尺寸

    0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

  • 类型

    TCXO

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 电压 - 供电

    2.8V

  • 频率

    40 MHz

  • 频率稳定性

    ±500ppb

  • 输出量

    削波正弦波

  • 功能

    -

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    2.5mA

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    -

  • 扩频带宽

    -

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.2Ohm @ 1.5A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    260 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.5 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    500 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 场效应管特性

    -

  • 座位高度(最大)

    0.039 (1.00mm)

  • 评级结果

    -

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PJP3NA50_T0_00001拓展信息

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