Panjit PJP60R620E_T0_00001

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

Unit Weight

0.061458 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

RoHS

Details

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.2A (Ta), 7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Panjit International Inc.

Power Dissipation (Max)

2W (Ta), 78W (Tc)

Product Status

不用于新设计

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

系列

NFET-600CTMN

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

子类别

MOSFETs

技术

Si

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

620mOhm @ 2.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

457 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET