PJQ1902_R1_00001
PJQ1902_R1_00001

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Panjit PJQ1902_R1_00001

  • 收藏
  • 对比

型号

PJQ1902_R1_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-PJQ1902_R1_00001

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

3-UFDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
PJQ1902_R1_00001
PJQ1902_R1_00001 Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

请发送询价,我们将立即回复。

库存:34

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PJQ1902_R1_00001详情

Panjit PJQ1902_R1_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    3-UFDFN

  • 供应商器件包装

    3-DFN (0.6x1)

  • Dimensions

    6,4x6,4x25mm

  • Insulation Voltage

    2 000 V

  • RoHS

    有

  • Unit Weight

    0.000039 oz

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    8000

  • Manufacturer

    Panjit

  • Brand

    Panjit

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    500mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V, 4.5V

  • 厂商

    Panjit International Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    700mW (Ta)

  • Product Status

    不用于新设计

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    1.1V @ 250µA

  • 系列

    n/a

  • 包装

    Reel

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 容差

    ±10 %

  • 电阻

    150 Ohm

  • 组成

    Wirewound

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 终端样式

    Axial

  • 注意

    n/a

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    34 pF @ 15 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.87 nC @ 4.5 V

  • 大小

    ceramic square

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 场效应管特性

    -

  • 额定功率

    5 W

  • 产品类别

    MOSFET

0个相似型号

PJQ1902_R1_00001拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z