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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.86291
10
¥6.474445
100
¥6.107966
500
¥5.762234
1000
¥5.436069
PJQ5411_R2_00001详情
Panjit PJQ5411_R2_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件包装
DFN5060-8
Voltage, Rating
150 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Moisture Sensitive
有
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Unit Weight
0.002822 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Panjit
Brand
Panjit
Qg - Gate Charge
14 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
15.5 mOhms
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
45 A
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
Panjit International Inc.
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 40W (Tc)
Product Status
活跃
包装
MouseReel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
容差
1 %
温度系数
100 ppm/°C
电阻
3.83 Ω
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
子类别
MOSFETs
额定功率
125 mW
技术
Si
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15.5mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1556 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
高度
650 µm
PJQ5411_R2_00001拓展信息
Panjit
Panjit
Panjit
Panjit
Panjit
Panjit
Panjit
Panjit
Panjit
Panjit







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