PJT7601_R1_00001
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Panjit PJT7601_R1_00001

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型号

PJT7601_R1_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-PJT7601_R1_00001

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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PJT7601_R1_00001 Panjit MOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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PJT7601_R1_00001详情

Panjit PJT7601_R1_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    SOT-363

  • Qualification

    AEC-Q200

  • Voltage, Rating

    150 V

  • Case Code - in

    1206

  • Case Code - mm

    3216

  • Maximum Operating Temperature

    + 125 C

  • Unit Weight

    0.000571 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    5000

  • Mounting Styles

    PCB 安装

  • Manufacturer

    TT Electronics

  • Brand

    Welwyn Components / TT Electronics

  • RoHS

    Details

  • Product Status

    活跃

  • 厂商

    Panjit International Inc.

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    500mA (Ta)

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • 系列

    PCF

  • 包装

    Reel

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 容差

    0.1 %

  • 温度系数

    25 PPM / C

  • 电阻

    140 kOhms

  • 子类别

    Resistors

  • 额定功率

    125 mW (1/8 W)

  • 技术

    Thin Film

  • 功率 - 最大

    350mW (Ta)

  • 场效应管类型

    N and P-Channel Complementary

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    67pF @ 10V, 38pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.4nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 产品类别

    薄膜电阻器

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 1.2V Drive

  • 特征

    -

  • 产品类别

    Thin Film Resistors - SMD

  • 宽度

    1.55 mm

  • 高度

    0.65 mm

  • 长度

    3.05 mm

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PJT7601_R1_00001拓展信息

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