Panjit UF630L-TN3-R

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Nonstandard

表面安装

YES

供应商器件包装

-

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Frequency-Self-Resonant

-

Package

Tape & Reel (TR)

Inductance Frequency-Test

100 kHz

厂商

中央技术

Product Status

活跃

Material-Core

-

Current - Saturation (Isat)

2A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UF630L-TN3-R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Unisonic Technologies Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

Risk Rank

5.63

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

9 A

操作温度

-40°C ~ 125°C

系列

CTSLF0645TF

尺寸/尺寸

0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

容差

±30%

ECCN 代码

EAR99

类型

-

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

屏蔽/屏蔽

Shielded

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电感,电感

4.7 µH

直流电阻（DCR）

26.5mOhm

操作模式

增强型MOSFET

谐振@频率

-

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

46 W

特征

-

座位高度(最大)

0.189 (4.80mm)

评级结果

-