US1DT/R详情
Panjit US1DT/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
2010 (5025 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
2010
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tray
厂商
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)
Product Status
活跃
Package Description
R-PDSO-C2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
US1DT/R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.02
Part Package Code
DO-214AC
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
VSMP
尺寸/尺寸
0.198 L x 0.097 W (5.03mm x 2.46mm)
容差
±0.1%
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±0.2ppm/°C
电阻
30.1 kOhms
组成
金属箔
功率(瓦特)
0.5W, 1/2W
附加功能
低漏电流
HTS代码
8541.10.00.80
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-C2
资历状况
不合格
失败率
-
配置
SINGLE
二极管类型
接收电极
输出电流-最大值
1 A
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
JEDEC-95代码
DO-214AC
反向恢复时间-最大值
0.05 µs
特征
Non-Inductive
座位高度(最大)
0.025 (0.64mm)
US1DT/R拓展信息








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