PanJit Semiconductor PJ06N03D
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PJ06N03D
1854-PJ06N03D
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 25V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
1最小包装量--
PJ06N03D详情
PanJit Semiconductor PJ06N03D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
PAN JIT INTERNATIONAL INC
Part Package Code
TO-252
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
60 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.009 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320 A
DS 击穿电压-最小值
25 V
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PJ06N03D拓展信息
PanJit Semiconductor
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PanJit Group
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